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据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
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续航表现同样是本次升级重点。As2 在空载状态下可连续运行超过 4 小时；在 15 kg 负载下仍可行走超过 13km。其极限速度可达 5m/s，并具备 IP54 防护等级，可在雨水、潮湿等复杂环境中工作。。业内人士推荐旺商聊官方下载作为进阶阅读
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